CuSn6Zn6铜合金标准化学成分(预置填充层钛／铜合金电子束焊接工艺研究)

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本文导读目录：

1、CuSn6Zn6铜合金标准化学成分

2、预置填充层钛／铜合金电子束焊接工艺研究

3、C15150高导电铜合金

CuSn6Zn6铜合金标准化学成分

　　2、微合金化：微合金化的目的是牺牲最少的导电导热性换取其他CuSn6Zn6性能。

　　4、复合材料化：一类发展较快的是原位复合材料（自生符合材料），二是引入第二强化相形成复合材料。

预置填充层钛／铜合金电子束焊接工艺研究

　　直接电子束焊接试验表明,钛侧化合物层增大了接头的脆性,导致拉伸试件断裂在焊缝近钛侧,接头平均抗拉强度211.8MPa,为铜母材抗拉强度的45.1%。

　　采用V填充层,焊缝中大量的钒基固溶体减小了接头的脆性,但V填充层熔点高,较难完全熔化。

　　而采用粉末冶金(V,Cu)填充层,接头表面成形良好且力学性能亦可能满足要求。

　　通过填充层厚度与元素质量比的对比试验,得到的优选填充层厚度为0.7mm,铜钒质量比为2:1。

　　通过研究不同工艺参数对接头力学性能的影响发现,在焊接束流20mA,焊接速度为420mm/min,扫描频率100Hz,束偏移量0.2mm的工艺参数下,获得的平均抗拉强度最高为389.3MPa,为铜母材强度的82.8%。

　　断口分析显示拉伸试件断裂的位置主要有焊缝近钛侧、近铜侧及铜侧热影响区,焊缝近钛侧的强度取决于化合物层的厚度及组成,近铜侧的强度取决于焊缝中钒基或铜基固溶体的含量。

　　而焊缝近钛侧、近铜侧组织性能良好是试件断裂在热影响区的先决条件。

　　气孔等缺陷对接头力学性能影响较大,可以通过控制扫描频率及束偏移量有效抑制气孔生成。

C15150高导电铜合金

　　C1441、C14410、SNDC、TAMAC2、HCL-12S、TAMAC4、KFC、DK-3、C19220、TAMAC194、KLF194、OLIN194、CAC15、C19810、TAMAC5、C19520、EFTEC8、C18990、EFTEC45、C18020、C18045、EFTEC64、EFTEC64T、NFC11、YCC(C18200)、NK120、MZC1、C15150、NB105、C19020、C19025、NB109、NIPZ、DK10、OLIN195、C19500、MSP1、C18665、CAC16、C19800、OLIN19720、C19720、KLF4、C50590、KLF5、C50715、MF202、C50710、KLF7、C51190。

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